最近全球两大顶级公司IBM与英特尔都分别在炫耀自己下一步的目标。英特尔的思路仍是不断地缩小尺寸，从45纳米到32纳米，然后是22纳米，再到15或14纳米，最终到10纳米。而IBM表示正与Mentor Graphic合作，利用下一代计算蚀刻技术软件来制造和生产22纳米，预计会在2011年底或2012年初问世。IBM认为现有的镜头和数值孔径等可能己达理论的极限，所以只能利用计算机软件技术加上蚀刻设备共同来完成，计算出来的缩小比例会在整个流程中不断的模拟和优化。

　　与英特尔一样，IBM公司也转向用高k及金属栅技术来设计集成度更高的器件用于32纳米和22纳米的处理器生产。IBM试图把更多的元素材料整合在芯片上，它主要依靠减少硅片的面积来降低成本。IBM非常有信心制造出15纳米的芯片，能否缩小到10纳米值得期待。

　　除了3D器件结构外
，目前颇具吸引力的是发展高集成密度的3D互连结构。3D互连结构由于使用更短的信号通路，功耗降低，对于传输功率的要求更低，尤其适合于便携式电子产品应用，以及可以将完全不同工艺的芯片，如存储器、模拟与逻辑电路等叠层在一起。

　　众多技术中最受关注的是穿透硅通孔（TSV）技术。TSV是目前倒装芯片和引线键合型叠层芯片解决方案的有力补充，其它如叠层封装或者封装上封装（PoP）技术正与叠层芯片技术一起使用，可以在给定面积下集成更多功能的IC组件。实际上这些解决方案可以统称SiP，与SoC相比更省钱、省时以及更大的灵活性，因为SoC只有当数量需求足够大时才显示其优点。

　　半导体工业是在传统工业的基础上，把使用各种材料的纯度由2-4个9（99.99%）提高到7-9个9（99.99999%）以上，由此相应配套的产业链，如洁净、高纯、高精度、抗腐蚀等应运而生，而目前半导体业中使用的各种材料也已达40种元素以上。从战略角度考虑，发展电子工业一定要寻求半导体工业的突破，因为这涉及国家电子工业的基础。