降低加热、焊接和功率因数校正应用的功耗
 中国，2004年12月14日 ― 意法半导体（纽约证券交易所：STM）今日推出了一个混合发射极开关双极晶体管(ESBT)，这个被称作STE50DE100的新器件可用于焊接设备、感应加热系统和音频放大器的功率因数校正应用。
STE50D100的集电极-源极能经受1000V的高压，集电极电流高达50A，这个四端子器件采用工业专用螺钉组装的TSOTOP封装。
在设计上，新器件集中了双极晶体管和MOSFET管的优点，并且摒弃了它们的缺点。
目前，功率双极晶体管技术广泛用于频率低于70KHz的电源开关应用，因为集电极-发射极饱和电压低，功率双极晶体管具有较低的导通损耗；但它的缺点是开关速度低、驱动电流大以及与驱动电路调优相关问题。
相反，MOSFET技术广泛应用于高频电源开关应用中，MOSFET的主要优点是开关速度快、驱动电流极低。它的缺点是成本高于双极晶体管技术，导通功耗高。
STE50DE100通过整合优点，消除缺点，把导通损耗降低到与双极晶体管相同的水平，同时在150KHz以下时高速开关性能达到了MOSFET的水平。
此外，因为采用共射-共基放大器配置和专用的双极技术，该器件能够提供一个方形反向偏压安全工作区，所以它能够在需求苛刻的开关拓扑内工作。
ISOTOP封装十分耐用，在25C时可以承受高达400W的总功耗。最高工作结温150C，绝缘电压2500V AC-RMS。订购1000件的单价为20.0美元。
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意法半导体（ST）公司简介
意法半导体，是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合(IP)，以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2005年，公司净收入88.8亿美元，净收益2.66亿美元，详情请访问ST网站：www.st.com
或ST中文网站www.stmicroelectronics.com.cn。
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