载流子寿命控制技术加快场效应MOS管的速度
 中国，2004年9月3日 - 意法半导体（纽约证券交易所：STM）日前推出一个N沟道场效应MOS晶体管，新产品用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。
STx9NK60ZD 是率先采用了SuperFREDMeshTM新型高压工艺，由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列产品SuperMESH?上实现了一个新载流子寿命控制过程，新器件不仅展现出优异的动态性能，而且还优化了体二极管的反向恢复时间(trr)，具有优异的软恢复特性。所有这些都将有助于降低开关损耗。
采用SuperFREDMesh制造技术的器件还可以降低通态电阻，执行齐纳二极管栅保护，提高dv/dt处理能力和成本竞争力。
这个器件可处理600V电压和高达7A的漏极电流， 典型导通电阻RDS(on) 0.85欧姆。STF9NK60ZD可以处理最高30W的功率，而STB9NK60ZD 和 STP9NK60ZD的最高功率为120W。
新器件的雪崩测试率为100%，目前所选封装为TO-220、TO-220FP 和 D2PAK。
订购10万件的美国市场单价为0.80美元，详情登录网站www.st.com/pmos
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意法半导体（ST）公司简介
意法半导体，是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合(IP)，以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2005年，公司净收入88.8亿美元，净收益2.66亿美元，详情请访问ST网站：www.st.com
或ST中文网站www.stmicroelectronics.com.cn。
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