制程、设计和封装相结合，提高功率器件的性能
 中国，2004年10月14日 - 意法半导体（纽约证券交易所：STM）推出多个基于其STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管，这些产品的设计目标是超高开关频率的应用，对计算机主板和电信客户极具吸引力。
STripFET采用优化的布局和最新的制程，提高了栅电荷、栅电阻和输入电容特性。低栅电荷特性使开关特性十分优秀，低栅电阻意味着瞬间响应速度快。这项技术还创造了极低的灵敏系数，等于降低了导通和开关损耗。
意法半导体发布的新产品包括 STS12NH3LL, STSJ50NH3LL, STD55NH2LL, STD95NH02L, STL8NH3LL 和STL50NH3LL.
STSJ50NH3LL是一款 30V的器件，额定电流12A。STS12NH3LL是一款 30V的器件，额定电流 50A。两款产品在10V时典型通态电阻均是0.008 欧姆，在4.5V时，通态电阻与栅电荷之间实现最佳组合。两个产品都是为电信应用高频直流-直流变换器和笔记本电脑内部电源管理电路而设计。
STS12NH3LL有用一个 SO-8 封装， STSJ50NH3LL采用一个PowerSO-8 封装。
STD55NH2LL是一款 24V的器件，额定电流55A。10V时，典型通态电阻0.01 欧姆，4.5V时， 0.012 欧姆。这款器件为高频直流-直流变换器而设计，它采用IPAK (TO-251) 通孔封装和表面组装DPAK (TO-252)封装。
STD95NH02L是一款 24V的器件，额定电流80A。在5V时，典型通态电阻0.0039欧姆，5V时， 0.0055欧姆。由于栅电荷极低，在10V时，这款器件的典型灵敏系数值为136.5nC*Qg，这是目前市场上的最高水准，它采用表面组装DPAK (TO-252)封装。
STL8NH3LL和 STL50NH3LL 目前采用PowerFLATTM 封装，改进了芯片-占板尺寸比，降低了封装外廓尺寸和热阻。
STL8NH3LL是一款30V 的器件，额定电流 8A。在10V时，通态电阻0.012欧姆，采用一个 3.3 x 3.3mm 的PowerFLATTM 封装。
STL50NH3LL是一款30V 的器件，额定电流 27A。在10V时，典型通态电阻0.011欧姆，采用一个 6 x 5mm 的PowerFLATTM 封装。
这两款产品都用于隔离型直流-直流变换器的同步整流电路，以及降压变换器的控制场效应FET晶体管。
所有产品都已上市销售，定购30万件的，单价区间在0.285到0.485美元之间。
详情登录 www.st.com/stripfet
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意法半导体（ST）公司简介
意法半导体，是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合(IP)，以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2005年，公司净收入88.8亿美元，净收益2.66亿美元，详情请访问ST网站：www.st.com
或ST中文网站www.stmicroelectronics.com.cn。
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