BJT/MOSFET混合器件实现了“两全其美”的性能
 中国，2005年10月10日 ? 功率晶体管的技术及市场领导厂商意法半导体（纽约证券交易所：STM）日前推出一个混合发射极开关双极晶体管(EBST®)系列产品，这个系列特别适用于工业三相辅助电源和工业照明用功率因数预稳压器的单端感应转换器(SEPIC)。作为业内低正向压降、高截止电压和快速开关的最佳组合，新的EBST系列在高压、高开关频率应用领域演绎了一项新的技术突破。
长期以来，电源设计工程师一直面临一个困难的选择：要么选择以低传导损耗和低开关速度为特性的双极结晶体管(BJT)，要么选择以高传导损耗和高开关速度为特性的场效应MOS晶体管，然而，新的ESBT系列产品的问世为设计人员解决了这个难题。采用共发共基放大结构整合BJT和MOSFET，并两个组件安装在一个单一的封装内，新器件保留了每个组件原先的优点，同时消除了它们各自的缺点，即传导损耗可与一个单一BJT媲美，同时开关频率达到130kHz以上，而且是在硬（无缓冲器）开关条件下实现的，因为其共发共基放大结构和专用的双极技术产生的方形反向偏压安全工作区，新器件可以安全处理这些条件。
新器件的另一个显著优点是其高达1.7kV的耐高压能力，这个性能使设计可以处理一个较高的回扫电压以及由此产生的较高的占空比。这个功能允许电源处理更高的功率或在更宽的输入电压范围内工作。
新系列产品包括STC03DE170、STC05DE150 和STC08DE150，这三款产品的击穿电压分别为1.7、1.5 和 1.5kV，通态电阻分别为0.55、0.17 和 0.11欧姆，相比之下，1500V功率场效应MOS晶体管的典型通态电阻在5-9欧姆之间。三个器件的Vcs(sat)值均为0.9V，将导通损耗降至了最低限度，同时尾电流的消失也最大限度地降低了关断功损耗。因此，新的ESBT系列产品在30W 到150W的所有电源应用中实现了更低的散热性和更高的可靠性。
所有的新器件均组装在用户定制设计的四引线TO-247封装内，封装侧面有一个集电极引脚，以扩大高低压引脚之间的间隙，在恶劣的工业环境最大限度提高系统的可靠性。STC03DE170、STC05DE150 和STC08DE150均已投入量产，订购100件样片单价分别为3.10、 $3.30 和 $3.60美元。
ST的应用实验室及技术能力中心为新的ESBT系列提供全面的支持，其中包括应用说明书和参考设计板。
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意法半导体（ST）公司简介
意法半导体，是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合(IP)，以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2005年，公司净收入88.8亿美元，净收益2.66亿美元，详情请访问ST网站：www.st.com
或ST中文网站www.stmicroelectronics.com.cn。
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