中国，2006年2月7日 ――意法半导体（纽约证券交易所：STM)世界功率半导体产品的领先厂商日前针对汽车市场推出一个新的大电流功率场效应MOS晶体管，该产品采用ST最新优化的 STripFET? 专利技术，实现了最低的导通电阻。 新产品 STD95N04 是一个40V的标准电平的DPAK产品，最大导通电阻RDS(on)6.5毫欧。

这个80A的产品是专门为DC-DC转换器、电机控制、电磁阀驱动器和ABS（防抱死制动系统）设计的。与采用传统的沟道技术制造的产品相比，新产品在价格和导通电阻性能上极具竞争力。新产品的典型RDS(on)在5毫欧区间内，能够满足标准阈压的驱动要求。

STD95N04符合汽车电工理事会（AEC）组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的AEC Q101分立器件应力测试标准。该组件最大工作温度175℃ ，100%通过雪崩测试。

ST新的STripFET技术以密度大幅度提高的单元为基础，导通电阻和功耗比上一代技术更低，占用的硅片面积更少。正在开发的其它的功率场效应MOS晶体管将采用相同的技术，以满足DPAK (30V, 逻辑电平, 典型导通电阻在4.5V时等于4.5毫欧 ) 和 D2PAK (40V,标准电平, 典型导通电阻在10V时等于2.0毫欧) 的需求。

采用DPAK和TO-220封装的STD95N04现已投入量产。 订购10,000件，单价0.38美元。