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功率MOSFET

ST自主开发的条状布局工艺及相关衍生工艺为功率MOSFET带来了革命性变化。功率MOSFET系列包括高级MDmeshTM以及面向高电压与极高电压功率MOSFET应用的PowerMESHTM。
低压STripFETTM家族面向直流/直流转换、汽车、运动控制和功率管理应用进行了优化。
通过采用创新封装技术，ST的功率MOSFET性能得到了进一步的提升。
 
   
功率MOSFET
N通道（12V至40V）
N通道（>40V至150V）
N通道（>150V至400V）
N通道（>400V至650V）
N通道（>650V）
P通道（-20V至-60V）
 
特色产品
PowerFLAT™ 8x8 HV：紧凑、高性能表面贴封装
STB21NK50Z - 针对混合动力汽车牵引应用的新型高电压功率 MOSFET   
SuperMESH3 950 V：更加可靠的高效系统 
STripFETTM VI DeepGATETM 功率 MOSFETs：新型的功率MOSFET技术，可以提高DC-DC转换效率。
MDmesh V power MOSFET：新型高电压（650 V @ 25 oC）功率MOSFET系列，在RDS(on)方面处于世界领先。 
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产品手册与指南
STripFET™ VI DeepGATE™ 宣传册 (PDF 213K)
用于计量的功率MOSFET (PDF 305K)
MDmesh™ II and FDmesh™ II 用于高效率电源转换器的创新高电流器件(PDF 614K)
 
产品新闻
2009年12月11日，新闻发布：
意法半导体（ST）推出业界单位芯片面积通态电阻最低的超结器件，巩固在超高能效MOSFET市场的领导地位
2009年5月11日，新闻发布：
意法半导体（ST）创新高压晶体管技术，协助开发更可靠的高能效电源
2009年3月26日，新闻发布：
意法半导体（ST）推出全新30V功率晶体管，采用第六代STripFET™制造工艺，功率密度达到业内最高水平
2009年2月17日，新闻发布：
意法半导体（ST）最新MDmesh™ V功率MOSFET技术，在650V额定电压下取得最佳单位面积导通电阻、能效和功率密度
 
相关信息
针对EPS 和 HEV的汽车MOSFET电子演示
MDmesh V 网络研讨会 
 
应用指南:
AN2344 – 功率MOSFET雪崩特性和等级
AN2239 – 利用带有集成肖特基二极管的标准STripFETs™使同步降压转换效率最大化

 
 

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支持
联系技术支持
无铅/RoHS
应用指南
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