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STV300NH02L
亚毫欧功率MOSFET提高服务器电源效率
STV300NH02L 产品页面
功率系统设计人员一直在寻求提高他们所设计产品的操作效率和性能的方法。ST可以满足他们的需求，公司推出一款专门用于降低次级整流损耗和OR-ing功 能损耗的新型MOSFET。STV300NH02L是一款20V N通道低压、大电流、低导通电阻的功率MOSFET，该器件得益于ST专有STripFET™技术的最新设计理念。采用PowerSO-10™封装的 STV300NH02L受益于最近在带式键合上的技术创新，这使其适用于当今市场上急需大电流OR-ing的应用。
STV300NH02L 的特性
R
DS(on)
行业基准 (0.7mOhm)
非常低的下降OR-ing功率MOSFET
大电流
低阈值器件
创新的带式键合工艺
电气特征
部件编号
BV
[V]
I
D
[A]
电压为10V[mOhm]时的R
DS(on)
(最大值)
封装
STV300NH02L
24
300
<1
PowerSO-10
PowerSO-10封装的创新打线接合工艺
主要应用
STV300NH02L特别适用于服务器电源，主要面向工业市场上的以下应用:
OR-ing
DC-DC 转换器
带式封装的优势
创新PowerSO-10带式封装使其与其他功率MOSFET区别开来，凭借极低的导通电阻，它可以:
大大降低OR-ing功能的损耗
提高服务器电源的效率，用于并联冗余系统以确保系统稳定性（效率大于99%）
在短路情况下可提供保护（在12.7A OR-ing电流，和25.7A负荷电流条件下，关闭时间为1.37ms）
DC/DC转换器的效率与负荷电流效率比较（在功率从输出电源转移至负荷系统期间的系统效率）
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